개인 재정 디지털 전자 공학 : 집적 회로 로직 게이트 - 인력

디지털 전자 공학 : 집적 회로 로직 게이트 - 인력

비디오: IC 7400을 이용한 3입력 NAND gate 2024

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Anonim

전자 회로 설계자들이 반도체 기반의 로직 회로를 개발하는 데 50 년 정도가 걸렸으므로 많은 설계가 로직 게이트를 개발하기 위해 개발되었습니다. 논리 회로 설계에 대한 각 접근 방식은 다양한 유형의 게이트 (NOT, AND, OR, NAND, NOR, XOR 및 XNOR)에 대한 전체 논리 회로를 생성하기 때문에 다양한 설계를 종종 설계 가족들.

RTL:

  • 레지스터 - 바이폴라 트랜지스터를 사용하는 저항 - 트랜지스터 로직 이 가장 많이 사용됩니다.

  • DTL: Diode-Transistor Logic, 는 RTL과 유사하지만 각 입력 회로에 다이오드를 추가한다.

  • TTL: Transistor-Transistor Logi c 는 2 개의 트랜지스터를 사용하는데, 하나는 스위치로 작동하도록 구성되고 다른 하나는 증폭기로 작동하도록 구성됩니다. 스위칭 트랜지스터는 입력 회로에 사용되며 증폭기 트랜지스터는 출력 회로에 사용됩니다. 증폭기는 게이트의 출력이 RTL 또는 DTL 회로보다 많은 수의 입력에 연결되도록합니다.

    개별 트랜지스터를 사용하여 TTL 회로를 만들 수 있지만 TTL 회로가있는 IC는 쉽게 사용할 수 있습니다. 가장 보편적 인 유형의 TTL IC는 74

    nn 형식으로 번호가 지정됩니다. 전체적으로, 수 백 종류의 7400 시리즈 집적 회로를 사용할 수 있습니다. 이들 중 상당수는 가전 제품 프로젝트에 사용할 가능성이없는 고급 로직 회로를 제공합니다. 쿼드 2 입력 NAND 게이트 (4 개의 NAND 게이트) 7402 4 개의 2 입력 NOR 게이트 (4 개의 NOR 게이트)

    7404 설명
    > 6 진수 인버터 (6 개의 NOT 게이트) 7408
    4 입력 2 입력 AND 게이트 (4 개의 AND 게이트) 7432
    4 입력 2 입력 OR 게이트 (4 개의 OR 게이트) 7486 > 쿼드 2 입력 XOR 게이트 (4 개의 XOR 게이트)
    CMOS: 상보 형 금속 산화막 반도체 로직
    은 MOSFET이라고하는 특수한 유형의 트랜지스터로 만들어진 로직 회로를 나타냅니다. MOSFET
    금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 를 나타낸다.
  • MOSFET이 표준 바이폴라 트랜지스터와 다른 점은 IC 설계자가되고 싶지 않다면 중요하지 않습니다.중요한 것은 MOSFET이 훨씬 적은 전력을 사용하고 상태를 훨씬 빠르게 전환 할 수 있으며 바이폴라 트랜지스터보다 훨씬 작다는 점입니다. 이러한 차이로 인해 MOSFET은 현대 집적 회로에 이상적이며, 종종 단일 칩에 수백만 개의 트랜지스터가 필요합니다. 전력 소모를 줄이고 TTL 회로보다 빠르게 작동하는 것 외에도 CMOS 회로는 TTL 회로와 매우 유사합니다. 사실, CMOS 칩은 비슷한 TTL 칩과 상호 교환 가능하도록 설계되었습니다. CMOS 로직 칩은 4로 시작하는 4 자리 부품 번호를 가지며 4000 시리즈 칩이라고도합니다. TTL 로직 칩의 7400 시리즈와 마찬가지로 수백 가지 유형의 4000 시리즈 칩을 사용할 수 있습니다. 4009 4 진 2 입력 NOR 게이트 (4 개의 NOR 게이트) 4009 16 진 인버터 (6 개 NOT 게이트) 4011 (4 개의 NAND 게이트)

    4030

    쿼드 2 입력 XOR 게이트 (4 개의 XOR 게이트)

    4071

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