전자 부품 : 트랜지스터 내부를 살펴보십시오 - 인형

내부에있는 모든 정교한 전자 제품을보기 위해 전자 가제트를 분해 한 적이 있습니까? 그렇다면 많은 트랜지스터를 이미 보았을 것입니다. 전자 장치 안에있는 트랜지스터의 가이드 투어를 생각해보십시오.

트랜지스터에는 많은 종류가 있습니다. 가장 기본적인 종류는

바이폴라 트랜지스터입니다 . 바이폴라 트랜지스터는 이해하기가 가장 쉽고 취미 인으로 일할 가능성이 가장 큰 트랜지스터입니다.

이제 바이폴라 트랜지스터가 어떻게 작동하는지 살펴 보겠습니다.

다이오드

는 단일 pn 접합으로 만들어진 가장 단순한 종류의 반도체이다. 두 종류의 반도체가 교차하는 단순한 접합부이다. 하나는 몇 개의 전자가 없으므로 양의 값을 갖는다. (995- 반도체) 및 약간의 여분의 전자를 갖는 다른 하나를 포함 할 수 있으며, 따라서 음전하를 갖는다 (999- 타입 999 반도체).

p-n 접합은 그 자체로 전류의 일방 통으로 작동합니다. 즉, pn 접합은 전류가 한 방향으로 흐르지 만 다른 방향에서는 흐르지 않게합니다. 다이오드는 양 끝단에 납이 붙은 단순한 pn 접합입니다. 트랜지스터는 일단에 p 형 또는 n 형 반도체의 제 3 층을 갖는 다이오드와 유사하다. 따라서, 트랜지스터는 2 개가 아닌 3 개의 영역을 갖는다. 각 영역 사이의 계면은 p-n 접합을 형성한다. 그래서 트랜지스터를 생각하는 또 다른 방법은 두 개의 pn 접합이있는 반도체입니다. NPN 및 PNP 트랜지스터 및 그 도식 기호. 트랜지스터를 제조하는 한 가지 방법은 두 개의 n 형 반도체 사이에 끼워진 p 형 반도체를 사용하는 것이다. 이 유형의 트랜지스터는 n 형, p 형 및 n 형의 3 개의 영역을 가지기 때문에 NPN 트랜지스터 라고 불립니다. 트랜지스터를 제조하는 다른 방법은 두 개의 p 형 반도체 사이에 끼워진 n 형 반도체를 사용하는 것이다. 이 유형은 p 형, n 형 및 p 형이기 때문에 PNP 트랜지스터라고합니다. 트랜지스터 내의 반도체 물질의 3 개의 영역 각각은 리드가 부착되어 있으며, 이들 리드 각각은 이름이 부여된다:

컬렉터:

이 리드는 반도체 영역 중 가장 큰 영역. 전류는베이스에 의해 제어되는 것처럼 이미 터로 컬렉터를 통해 흐릅니다.

이미 터:

두 번째로 큰 반도체 지역에 부착. 베이스 전압이 허용되면 전류는 컬렉터를 통해 이미 터로 흐릅니다.

베이스:

중간 반도체 영역에 부착.이 영역은 컬렉터 이미 터 회로를 통해 흐르는 전류의 양을 결정하는 게이트 키퍼 역할을합니다. 전압이베이스에인가되면, 전류가 흐르게된다. 이 두 전류 경로는 트랜지스터에서 중요합니다. 컬렉터 이미 터:

트랜지스터를 통해 흐르는 주요 전류. 콜렉터와 이미 터 양단에 걸리는 전압은 흔히

V

• ce 라고하며 콜렉터 이미 터 경로를 통해 흐르는 전류를

• ce 라고합니다.

• Base-emitter: 컬렉터 이미 터 경로를 통과하는 전류의 흐름을 제어하는 ​​현재 경로. 베이스 이미 터 경로의 전압은

V

• BE 라고도하며 바이어스 전압 _{이라고도합니다. 베이스 이미 터 경로를 통과하는 전류를} I BE _{라고합니다.} 다음은 트랜지스터에 대해 숙고 할 추가 사항입니다.

• NPN 트랜지스터에서 이미 터는 트랜지스터의 음극입니다. 컬렉터와베이스는 긍정적 측면입니다. PNP 트랜지스터에서, 에미 터는 트랜지스터의 포지티브 측이다. 컬렉터와베이스는 부정적인 측면입니다. NPN 트랜지스터로 만들 수있는 대부분의 회로는 PNP 트랜지스터로도 만들 수 있습니다. 하지만 그렇게한다면 전원 연결을 뒤집어 놓아야합니다. 개략도에서, 트랜지스터는 일반적으로 문자 Q로 나타낸다.